企業動態
濺射靶材的性能要求
一、純度
純度是濺射靶材的主要性能指標，濺射靶材的純度對薄膜的性能影響是很大的，不過在實際應用過程中，不同產品對靶材的純度要求也各不相同。就比如在微電子行業中，隨著行業的發展，硅片的尺寸硅片尺寸鑄件發展，而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，之前的靶材純度就可以滿足0.35umIC的工藝要求，但對于制備0.18um線條之前的靶材純度就無法勝任，需要要求純度為更高一些。
二、雜質含量
濺射靶材中雜質和氣孔中的氧氣以及水氣是靶材沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對于雜質含量的要求也不同。在半導體行業中使用的純鋁和鋁合金靶材，對于堿金屬含量和放射量元素都有一定特殊的要求。
三、密度
為了減少濺射靶材中的氣孔數量，提高濺射薄膜的性能，對濺射靶材的密度也有一定的要求。因為濺射靶材的密度會影響靶材的濺射數量，還會影響薄膜的電學和光學性能。靶材的密度越高，薄膜的性能也就越好。不僅如此，提高靶材的密度和強度還能夠幫助靶材更好的承受濺射過程中的熱應力，因此密度也是濺射靶材的重要性能指標之一。
四、結晶取向
濺射靶材在濺射的適合，靶材原子容易沿著原子六方中比較緊密排列方向擇優濺射出來，因此為了提高靶材濺射速度，需要通過改變靶材結晶結構的方法來增加濺射速度。對于不同的材料有著不同的結晶結構，因此需要采取不同的成型方法、熱處理方法以及條件來提高靶材濺射效率和確保淀積薄膜的質量。
一、純度
純度是濺射靶材的主要性能指標，濺射靶材的純度對薄膜的性能影響是很大的，不過在實際應用過程中，不同產品對靶材的純度要求也各不相同。就比如在微電子行業中，隨著行業的發展，硅片的尺寸硅片尺寸鑄件發展，而布線寬度由0.5um減小到0.25um,0.18um甚至0.13um，之前的靶材純度就可以滿足0.35umIC的工藝要求，但對于制備0.18um線條之前的靶材純度就無法勝任，需要要求純度為更高一些。
二、雜質含量
濺射靶材中雜質和氣孔中的氧氣以及水氣是靶材沉積薄膜的主要污染源，不同用途的靶材對于雜質含量的要求也不同。在半導體行業中使用的純鋁和鋁合金靶材，對于堿金屬含量和放射量元素都有一定特殊的要求。
三、密度
為了減少濺射靶材中的氣孔數量，提高濺射薄膜的性能，對濺射靶材的密度也有一定的要求。因為濺射靶材的密度會影響靶材的濺射數量，還會影響薄膜的電學和光學性能。靶材的密度越高，薄膜的性能也就越好。不僅如此，提高靶材的密度和強度還能夠幫助靶材更好的承受濺射過程中的熱應力，因此密度也是濺射靶材的重要性能指標之一。
四、結晶取向
濺射靶材在濺射的適合，靶材原子容易沿著原子六方中比較緊密排列方向擇優濺射出來，因此為了提高靶材濺射速度，需要通過改變靶材結晶結構的方法來增加濺射速度。對于不同的材料有著不同的結晶結構，因此需要采取不同的成型方法、熱處理方法以及條件來提高靶材濺射效率和確保淀積薄膜的質量。
- 下一個：濺射靶材制備工藝方法和特點